憑藉龐大國內市場和政府補助，中國撼動長期由韓國、台灣和美國主導的半導體市場。

韓媒 Pulse 報導，中國晶片商取得顯著進步，先進半導體也是如此。中芯國際今年第三季獲利創歷史新高，營收較去年同期成長 34% 至 21.7 億美元，營業利潤飆升 94% 至 1.699 億美元。長鑫存儲、福建晉華等 DRAM 大廠積極降低 DDR4 價格，提供比三星、SK 海力士便宜 50% 價格的記憶體晶片。

中國企業也拚命挖角韓國和台灣頂尖人才。成均館大學教授 Kwon Seok-joon 指出，台積電將中芯國際視為主要競爭對手，因許多主要研發和製程人員都被挖角到中芯國際。

美國制裁後，中芯國際仍成功推出 7 奈米製程，雖然良率問題仍大，先進製程進度也落後韓國和台灣，但對 2000 年才成立的公司來說，技術差距顯著縮小。

Kwon Seok-joon 預測十年內，以中芯國際為首的中國晶圓代工產業，10 奈米以上製程和中階製程市占率將成長一兩倍。另中國政府持續補助，中芯國際可能在 2030 年代中期與台積電抗衡。

中國記憶體廠產能快速擴張，緊追美光、三星

中芯國際 2018 年成立記憶體子公司 Semiconductor Global Solutions（SGS），並從三星電子和 SK 海力士招攬許多工程師，正在浦東和寧波加速 DRAM 開發。

研調機構 TrendForce 數據顯示，全球晶圓代工市場，台積電市占率高達 62.3%，其次是三星 11.5%，第三是中芯國際 5.7%。

記憶體產業部分，中國廠商以量產 DDR4 主導市場，同時推動 DDR5 量產。長鑫存儲專注低階記憶體，如 17~18 奈米 DDR 及低功耗 LPDDR4X，快速擴大生產規模。

美系外資摩根士丹利（Morgan Stanley）資料，長鑫存儲晶圓月產能從 2020 年 4 萬片增加到 2024 年 20 萬片，今年全球 DRAM 市占突破 10%。

業界人士預估，長鑫存儲與三星技術差距為 1.5 年或更短，長江存儲和其他 NAND 公司也與領導者差距縮小到 1 年以下；另一位業界人士則透露長鑫存儲明年產能確實與美光相當。

TrendForce 預測，因中國產能擴張，明年 DRAM 產量較今年增加 25%。延世大學教授 Kim Hyun-jae 表示，中國擴大 DRAM 產能是韓國半導體公司最大的風險因子。

業界擔心中國大量補助低成本晶片，恐造成市場中斷，尤其消費性電子產品、汽車和工業設備用的傳統半導體，占全球半導體需求 75%。業界人士指出，為降低成本，中國晶片需求越來越大，趨勢可能改變整個市場結構。

科技新報