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微博【晶片】Intel 火力全開要拼了，揚言 2025 年要反超台積電！
時間:07/31/2021 00:00
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過去 10 多年以來，Intel 憑藉摩爾定律和先進半導體製程持續引領行業的發展，一直處於行業的最高峰。當時 Intel 穩壓台積電、Samsung 等一眾對手，意氣風發。但誰想到自從智能手機掘起後，Intel 的晶片事業反被一眾當年被穩壓的對手反超前。
對此，Intel 新任 CEO Pat Gelsinger 表示 Intel 需要加速創新的節奏。於是在今年三月宣布了 IDM 2.0 計劃，近期又公佈了最新的半導體製程和先進封裝的路線圖，將未來發展的藍圖先繪製出來。
路線圖指出 Intel 計劃在 2024 年用 Intel 20A 製程將半導體行業帶入埃米時代（1 納米= 10 埃米）。 Pat Gelsinger 認為，Intel 在先進製程和封裝技術上的創新將使其在 2024 年在製程性能水平上與同行齊頭並進，在2025 年再度超越台積電領先業界。
隨後，Intel 也宣布 AWS 將成為第一個使用 Intel 代工服務（IFS）封裝解決方案的客戶。 Intel 也將與 Qualcomm 合作，共同開啟半導體的埃米時代。
目前，Intel 總算拋棄 14nm 正在生產 10nm SuperFin 節點的晶片，10nm 晶圓的數量已經遠超同期生產的 14nm 晶圓的數量，但這一代產品的命名將不會改變，畢竟還只是提出，目前尚未確定。不過下一代 Intel 10nm SuperFin 節點原名 Enhaned SuperFin 現在更名為 Intel 7，Intel 7 之後是 Intel 4 和 Intel 3 的下一代，將被稱為 Intel 20A。
值得注意的是，Intel 4 是 Intel 首個完全採用極紫外光刻（EUV）技術的製程節點，面向客戶端的M eteor Lake 和面向數據中心的 Granite Rapids 都將基於 Intel 4，於 2022 年下半年投產，2023 年出貨。EUV 採用高度複雜的透鏡和反射鏡光學系統，將 13.5nm 波長的光對焦，從而在矽片上刻印極微小的圖樣。相對於之前使用波長為 193nm 的光源的技術，這是巨大的進步。
如此巨大的進步勢必將對台積電造成威脅，目前台積電就是靠與ASML 的良好合作關係和最前端的EUV 光刻技術領跑全球，Intel 如果使用了更好的EUV 光刻機器，台積電的優勢將微乎其微。
總的來說，Intel 重回「霸主」的野心已重燃。計劃 2023 年將趕上台積電，並於 2025 年及以後將反超台積電。當然，台積電也不是站動不動的巨人，兩者競賽只會持續下去。你又比較看好誰呢？
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